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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSM300D12P4G101
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vedi specifiche per i dettagli del prodotto.

BSM300D12P4G101

codice articolo del costruttore : BSM300D12P4G101
Stato RoHS :
Costruttore / Marca : Rohm Semiconductor
Condizione di scorta : disponibile
Descrizione : 1200V, 291A, HALF BRIDGE, FULL S
Nave da : Hong Kong
Specifiche :
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte BSM300D12P4G101
fabbricante LAPIS Technology
Descrizione 1200V, 291A, HALF BRIDGE, FULL S
Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile disponibile
Specifiche
Vgs (th) (max) a Id 4.8V @ 145.6mA
Tecnologia Silicon Carbide (SiC)
Contenitore dispositivo fornitore Module
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs -
Potenza - Max 925W (Tc)
Contenitore / involucro Module
Pacchetto Box
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Caratteristica FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 1200V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 291A (Tc)
Configurazione 2 N-Channel
Numero di prodotto di base BSM300
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