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Infineon Technologies Immagine IPD25N06S4L30ATMA2. L'immagine può essere rappresentativa.
vedi specifiche per i dettagli del prodotto.

IPD25N06S4L30ATMA2

codice articolo del costruttore : IPD25N06S4L30ATMA2
Stato RoHS : ROHS3 conforme
Costruttore / Marca : Infineon Technologies
Condizione di scorta : 374 pcs Stock
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Nave da : Hong Kong
Specifiche : IPD25N06S4L30ATMA2(1).pdfIPD25N06S4L30ATMA2(2).pdfIPD25N06S4L30ATMA2(3).pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte IPD25N06S4L30ATMA2
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Stato Lead senza piombo / RoHS ROHS3 conforme
quantità disponibile 374 pcs
Specifiche IPD25N06S4L30ATMA2(1).pdfIPD25N06S4L30ATMA2(2).pdfIPD25N06S4L30ATMA2(3).pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 8µA
Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 29W (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Numero di prodotto di base IPD25N06
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