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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies Immagine IPD65R660CFDBTMA1. L'immagine può essere rappresentativa.
vedi specifiche per i dettagli del prodotto.

IPD65R660CFDBTMA1

codice articolo del costruttore : IPD65R660CFDBTMA1
Stato RoHS : ROHS3 conforme
Costruttore / Marca : Infineon Technologies
Condizione di scorta : disponibile
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Nave da : Hong Kong
Specifiche : IPD65R660CFDBTMA1(1).pdfIPD65R660CFDBTMA1(2).pdfIPD65R660CFDBTMA1(3).pdfIPD65R660CFDBTMA1(4).pdfIPD65R660CFDBTMA1(5).pdfIPD65R660CFDBTMA1(6).pdfIPD65R660CFDBTMA1(7).pdfIPD65R660CFDBTMA1(8).pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte IPD65R660CFDBTMA1
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS ROHS3 conforme
quantità disponibile disponibile
Specifiche IPD65R660CFDBTMA1(1).pdfIPD65R660CFDBTMA1(2).pdfIPD65R660CFDBTMA1(3).pdfIPD65R660CFDBTMA1(4).pdfIPD65R660CFDBTMA1(5).pdfIPD65R660CFDBTMA1(6).pdfIPD65R660CFDBTMA1(7).pdfIPD65R660CFDBTMA1(8).pdf
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 200µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3
Serie CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 660mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 615 pF @ 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Numero di prodotto di base IPD65R
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