codice articolo del costruttore : | IRFR2405TRLPBF |
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Stato RoHS : | ROHS3 conforme |
Costruttore / Marca : | Infineon Technologies |
Condizione di scorta : | 3854 pcs Stock |
Descrizione : | MOSFET N-CH 55V 56A DPAK |
Nave da : | Hong Kong |
Specifiche : | IRFR2405TRLPBF(1).pdfIRFR2405TRLPBF(2).pdfIRFR2405TRLPBF(3).pdfIRFR2405TRLPBF(4).pdfIRFR2405TRLPBF(5).pdf |
Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numero di parte | IRFR2405TRLPBF |
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fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 56A DPAK |
Stato Lead senza piombo / RoHS | ROHS3 conforme |
quantità disponibile | 3854 pcs |
Specifiche | IRFR2405TRLPBF(1).pdfIRFR2405TRLPBF(2).pdfIRFR2405TRLPBF(3).pdfIRFR2405TRLPBF(4).pdfIRFR2405TRLPBF(5).pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 16mOhm @ 34A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2430 pF @ 25 V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 55 V |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Numero di prodotto di base | IRFR2405 |