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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloEPC2021ENG
EPC Immagine EPC2021ENG. L'immagine può essere rappresentativa.
vedi specifiche per i dettagli del prodotto.

EPC2021ENG

codice articolo del costruttore : EPC2021ENG
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
Costruttore / Marca : EPC
Condizione di scorta : 170 pcs Stock
Descrizione : TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Nave da : Hong Kong
Specifiche : EPC2021ENG.pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte EPC2021ENG
fabbricante EPC
Descrizione TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 170 pcs
Specifiche EPC2021ENG.pdf
Tensione - Prova 1700pF @ 40V
Tensione - Ripartizione Die
Vgs (th) (max) a Id 2.5 mOhm @ 29A, 5V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Serie eGaN®
Stato RoHS Tray
Rds On (max) a Id, Vgs 60A (Ta)
Polarizzazione Die
Altri nomi 917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 22 Weeks
codice articolo del costruttore EPC2021ENG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5V @ 14mA
Caratteristica FET N-Channel
Descrizione espansione N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss) -
Descrizione TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80V
rapporto di capacità -
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