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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciEPC2105ENG
EPC Immagine EPC2105ENG. L'immagine può essere rappresentativa.
vedi specifiche per i dettagli del prodotto.

EPC2105ENG

codice articolo del costruttore : EPC2105ENG
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
Costruttore / Marca : EPC
Condizione di scorta : disponibile
Descrizione : TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Nave da : Hong Kong
Specifiche : EPC2105ENG.pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte EPC2105ENG
fabbricante EPC
Descrizione TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile disponibile
Specifiche EPC2105ENG.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore Die
Serie eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max -
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro Die
Altri nomi EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss) 80V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A, 38A
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