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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciEPC2108ENGRT
EPC Immagine EPC2108ENGRT. L'immagine può essere rappresentativa.
vedi specifiche per i dettagli del prodotto.

EPC2108ENGRT

codice articolo del costruttore : EPC2108ENGRT
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
Costruttore / Marca : EPC
Condizione di scorta : disponibile
Descrizione : TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Nave da : Hong Kong
Specifiche : EPC2108ENGRT.pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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fabbricante EPC
Descrizione TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile disponibile
Specifiche EPC2108ENGRT.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35)
Serie eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Potenza - Max -
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro 9-VFBGA
Altri nomi 917-EPC2108ENGRDKR
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss) 60V, 100V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
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