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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloR6024KNZC8
LAPIS Semiconductor Immagine R6024KNZC8. L'immagine può essere rappresentativa.
vedi specifiche per i dettagli del prodotto.

R6024KNZC8

codice articolo del costruttore : R6024KNZC8
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
Costruttore / Marca : LAPIS Semiconductor
Condizione di scorta : 360 pcs Stock
Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF
Nave da : Hong Kong
Specifiche : R6024KNZC8.pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte R6024KNZC8
fabbricante LAPIS Technology
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 360 pcs
Specifiche R6024KNZC8.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PF
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 165 mOhm @ 11.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack
Altri nomi R6024KNZC8TR
R6024KNZC8TR-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 24A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
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