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CSD85312Q3E

codice articolo del costruttore : CSD85312Q3E
Stato RoHS : ROHS3 conforme
Costruttore / Marca : Sconosciuto
Condizione di scorta : 9996 pcs Stock
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Nave da : Hong Kong
Specifiche : CSD85312Q3E(1).pdfCSD85312Q3E(2).pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte CSD85312Q3E
fabbricante
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Stato Lead senza piombo / RoHS ROHS3 conforme
quantità disponibile 9996 pcs
Specifiche CSD85312Q3E(1).pdfCSD85312Q3E(2).pdf
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON (3.3x3.3)
Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
Potenza - Max 2.5W
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate, 5V Drive
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 39A
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Source
Numero di prodotto di base CSD85312
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