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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTH240N10F7-2
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STH240N10F7-2

codice articolo del costruttore : STH240N10F7-2
Stato RoHS : ROHS3 conforme
Costruttore / Marca : STMicroelectronics
Condizione di scorta : disponibile
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Nave da : Hong Kong
Specifiche : STH240N10F7-2(1).pdfSTH240N10F7-2(2).pdfSTH240N10F7-2(3).pdfSTH240N10F7-2(4).pdfSTH240N10F7-2(5).pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte STH240N10F7-2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Stato Lead senza piombo / RoHS ROHS3 conforme
quantità disponibile disponibile
Specifiche STH240N10F7-2(1).pdfSTH240N10F7-2(2).pdfSTH240N10F7-2(3).pdfSTH240N10F7-2(4).pdfSTH240N10F7-2(5).pdf
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore H2Pak-2
Serie STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11550 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Numero di prodotto di base STH240
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