| codice articolo del costruttore : | STL86N3LLH6AG |
|---|---|
| Stato RoHS : | ROHS3 conforme |
| Costruttore / Marca : | STMicroelectronics |
| Condizione di scorta : | disponibile |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT |
| Nave da : | Hong Kong |
| Specifiche : | STL86N3LLH6AG(1).pdfSTL86N3LLH6AG(2).pdfSTL86N3LLH6AG(3).pdfSTL86N3LLH6AG(4).pdfSTL86N3LLH6AG(5).pdfSTL86N3LLH6AG(6).pdf |
| Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Numero di parte | STL86N3LLH6AG |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | ROHS3 conforme |
| quantità disponibile | disponibile |
| Specifiche | STL86N3LLH6AG(1).pdfSTL86N3LLH6AG(2).pdfSTL86N3LLH6AG(3).pdfSTL86N3LLH6AG(4).pdfSTL86N3LLH6AG(5).pdfSTL86N3LLH6AG(6).pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.2mOhm @ 10.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 60W (Tc) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2030 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | STL86 |
STL80N4LLF3MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT
STL80N75F6MOSFET N-CH 75V 80A POWERFLATSTL8N10LF3MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6STL8DN6LF3MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6STL8DN10LF3MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6STL85N6F3MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLATSTL8N10F7MOSFET N-CH 100V POWERFLATSTL80N3LLH6MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLATSTL8DN6LF6AGMOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
STL81005ZLOW POWER 1550 NM FP LASER