| codice articolo del costruttore : | STL8N6LF6AG |
|---|---|
| Stato RoHS : | ROHS3 conforme |
| Costruttore / Marca : | STMicroelectronics |
| Condizione di scorta : | disponibile |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT |
| Nave da : | Hong Kong |
| Specifiche : | STL8N6LF6AG(1).pdfSTL8N6LF6AG(2).pdfSTL8N6LF6AG(3).pdfSTL8N6LF6AG(4).pdfSTL8N6LF6AG(5).pdfSTL8N6LF6AG(6).pdfSTL8N6LF6AG(7).pdf |
| Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Numero di parte | STL8N6LF6AG |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | ROHS3 conforme |
| quantità disponibile | disponibile |
| Specifiche | STL8N6LF6AG(1).pdfSTL8N6LF6AG(2).pdfSTL8N6LF6AG(3).pdfSTL8N6LF6AG(4).pdfSTL8N6LF6AG(5).pdfSTL8N6LF6AG(6).pdfSTL8N6LF6AG(7).pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 27mOhm @ 9.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 55W (Tc) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1340 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | STL8 |
STL8N6F7MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
STL8NH3LLMOSFET N-CH 30V 8A POWERFLATSTL8P4LLF6MOSFET P-CH 40V POWERFLATSTL90N10F7MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLATSTL8N10LF3MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6STL8N80K5MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLATSTL8N6LF3MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLATSTL8N65M5MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLATSTL8N65M2MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HVSTL8P2UH7MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT