| codice articolo del costruttore : | GP2M004A065PG |
|---|---|
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| Costruttore / Marca : | Global Power Technologies Group |
| Condizione di scorta : | disponibile |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK |
| Nave da : | Hong Kong |
| Specifiche : | GP2M004A065PG.pdf |
| Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Numero di parte | GP2M004A065PG |
|---|---|
| fabbricante | SemiQ |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | disponibile |
| Specifiche | GP2M004A065PG.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 98.4W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | 1560-1196-1 1560-1196-1-ND 1560-1196-5 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 642pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 4A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
GP2M005A050CGMOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
GP2M005A050PGMOSFET N-CH 500V 4.5A IPAKGP2M004A060PGMOSFET N-CH 600V 4A IPAK
GP2M004A060HGMOSFET N-CH 600V 4A TO220
GP2M004A065FGMOSFET N-CH 650V 4A TO220FGP2M005A060CGMOSFET N-CH 600V 4.2A DPAKGP2M004A065HGMOSFET N-CH 650V 4A TO220GP2M004A065CGMOSFET N-CH 650V 4A DPAKGP2M005A050HGMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220GP2M005A050FGMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F